固原柔和双沟 n沟道mos管 有哪些设计种类

河北润创科技开发有限公司 发布于:2017-10-29 01:24:28

产品简介:
产品详细信息

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管
的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。

特点高输入阻抗低输入电容切换速度快低接通电阻无次级击穿低输入和输出泄漏
典型应用常开开关固态继电器转换器线性放大器恒定电流源电源电路电信





MOSFET 晶体管,







产品技术参数




通道类型N
连续漏极电流0.12 A
漏源电压400 V
漏源电阻值25 Ω
栅阈值电压-3.5V
栅源电压±20 V
封装类型TO-92
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式消耗
类别快速切换
功率耗散1 W
配置单
长度5.2mm
尺寸0.205 x 0.165 x 0.21in
典型接通延迟时间10 ns
工作温度-55 °C
典型关断延迟时间15 ns
高度0.21in
工作温度+150 °C
典型输入电容值@Vds200 pF@ 25 V
宽度0.165in
每片芯片元件数目1



固原柔和双沟 n沟道mos管 有哪些设计种类多种型号图片













型号:JX185189ZVN4206ASTZN沟道MOSFET晶体管0.6AVds=60V3针E-Line封装 型号:JX185025InternationalRectifierIRF7779L2TR1PBFN沟道MOSFET晶体管375AVds=150V11针DirectFETL8封装 型号:JX185044DN2540N3-GN沟道MOSFET晶体管0.12AVds=400V3针TO-92封装

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在以雄厚的技术底蕴在强化自主开发的同时,积极采用国内外先进技术标准,寻求推进与大专院校,科研单位的协作互补,以实现新产品开发的高起点,在交通部、建设部及科研所专家们的指导下,产品不断完善,不断更新。已广泛用于建材,建筑施工,道桥建设,水电工程和机械,交通、石油、化工等领域的质量检测。并同国内外各试验仪器厂建立了长期合作关系,严把质量关,价格更优惠!
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【关于合作】

我们本着精益求精、经销诚实守信、服务热情周到的服务宗旨和协助伙伴成就事业从而成就自己的事业的立业精神,为客戶提供卓越的品质和服务。因产品种类多 没有一一上传,如有需要,请联系我们。
【关于发货】

我们会在确认合作方式以及合作达成时为您发货考虑到成本的因素,我们一般采用物流发货,不过请您放心,因为我们的外地客户非常之多,基本上我们业务已经覆盖全国,所以物流公司都是我们精心筛选的,不管是发货时间,还是价格都是满意的,同时我们在交付物流公司后将在时间告知客户,并且我们会将物流费用一并告知发货打包我们都有专人严格检查商品的质量的,请放心购买。

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固原柔和双沟 n沟道mos管 有哪些设计种类多种型号内容


型号:JX185189ZVN4206ASTZN沟道MOSFET晶体管0.6AVds=60V3针E-Line封装


产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.







产品技术参数




通道类型N

连续漏极电流0.6 A

漏源电压60 V

漏源电阻值1 Ω

栅阈值电压3V

栅源电压±20 V

封装类型E-Line

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式增强

类别小信号

功率耗散0.7 W

配置

高度4.01mm

典型输入电容值@Vds100 pF V @ 25

典型关断延迟时间12 ns

长度4.77mm

尺寸4.77 x 2.41 x 4.01mm

宽度2.41mm

每片芯片元件数目1

典型接通延迟时间8 ns

工作温度-55 °C

工作温度+150 °C





分立半导体

ZVN4206ASTZN沟道MOSFET晶体管0.6AVds=60V3针E-Line封装
型号:JX185025InternationalRectifierIRF7779L2TR1PBFN沟道MOSFET晶体管375AVds=150V11针DirectFETL8封装


产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,


电动机控制 MOSFET 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。






MOSFET 晶体管,

全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。









产品技术参数




通道类型N

连续漏极电流375 A

漏源电压150 V

漏源电阻值11 mΩ

栅阈值电压5V

小栅阈值电压3V

栅源电压±20 V

封装类型DirectFET L8

安装类型表面贴装

引脚数目11

通道模式增强

类别功率 MOSFET

功率耗散125 W

配置双漏极、八源、单

高度0.7mm

工作温度+175 °C

典型接通延迟时间16 ns

工作温度-55 °C

长度9.15mm

典型栅极电荷@Vgs97 nC@ 10 V

尺寸9.15 x 7.1 x 0.7mm

典型输入电容值@Vds6660 pF@ 25 V

典型关断延迟时间36 ns

宽度7.1mm

每片芯片元件数目1





分立半导体

InternationalRectifierIRF7779L2TR1PBFN沟道MOSFET晶体管375AVds=150V11针DirectFETL8封装
型号:JX185044DN2540N3-GN沟道MOSFET晶体管0.12AVds=400V3针TO-92封装


产品详细信息

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管

的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。



特点高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
典型应用常开开关
固态继电器
转换器
线放大器
恒定电流源
电源电路
电信






MOSFET 晶体管,







产品技术参数




通道类型N

连续漏极电流0.12 A

漏源电压400 V

漏源电阻值25 Ω

栅阈值电压-3.5V

栅源电压±20 V

封装类型TO-92

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式消耗

类别快速切换

功率耗散1 W

配置

长度5.2mm

尺寸0.205 x 0.165 x 0.21in

典型接通延迟时间10 ns

工作温度-55 °C

典型关断延迟时间15 ns

高度0.21in

工作温度+150 °C

典型输入电容值@Vds200 pF@ 25 V

宽度0.165in

每片芯片元件数目1





分立半导体

DN2540N3-GN沟道MOSFET晶体管0.12AVds=400V3针TO-92封装


固原柔和双沟 n沟道mos管 有哪些设计种类


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【关于合作】

我们本着精益求精、经销诚实守信、服务热情周到的服务宗旨和协助伙伴成就事业从而成就自己的事业的立业精神,为客戶提供卓越的品质和服务。因产品种类多 没有一一上传,如有需要,请联系我们。
【关于发货】

我们会在确认合作方式以及合作达成时为您发货考虑到成本的因素,我们一般采用物流发货,不过请您放心,因为我们的外地客户非常之多,基本上我们业务已经覆盖全国,所以物流公司都是我们精心筛选的,不管是发货时间,还是价格都是满意的,同时我们在交付物流公司后将在时间告知客户,并且我们会将物流费用一并告知发货打包我们都有专人严格检查商品的质量的,请放心购买。联系方式:李经理
电话:0319-8322290
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